برق
مقاله تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد
توضیحات فایل:
تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد
چکیده__ در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه ی سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.
تحقیق کارشناسی ارشد برق
فایل محتوای:
1) اصل مقاله لاتین 2010 IEEE
2) متن ورد شده بصورت کاملا تخصصی
پروداک فایل
تسهیل در دسترسی به فایل مورد نظر در فروشگاه های فایل دارای نماد اعتماد الکترونیکیجستجو و دریافت سریع هر نوع فایل شامل: دانشگاهی: مقاله، تحقیق، گزارش کارآموزی، بررسی، نظری، مبانی نظری آموزشی و تدریسی: پاورپوینت، فایل، پروژه، درسنامه، طرح درس روزانه، درس پژوهی، یادگیری، آموزش، معلم، دانشآموزان، سناریوی آموزشی، بکآپ کودک. فناوری و دیجیتال: دانلود، بکآپ، ppt، اتوکد، قابل ویرایش، حسابداری، سامسونگ دیجیتال، pdf. روانشناسی و علوم تربیتی: پاورپوینت، طرح درس نویسی هنری و طراحی: معماری، عکاسی، وکتور، طراحی سایر: تم تولد، بکآپ تولد، ابتدایی، خرید دانلود رایگان، اصول، کورل، بکآپ آتلیه