الکترونیک و مخابرات
مقاله آشنایی با ساختمان و عملكرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور
توضیحات فایل:
*مقاله آشنایی با ساختمان و عملكرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور*
نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها
نیمه هادی ها عناصری هستند كه از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الكترون می‌باشد.
ژرمانیم و سیلیكون دو عنصری هستند كه خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیكی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.
ژرمانیم دارای عدد اتمی32 می‌باشد .
این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیكلر[1] كشف شد.
این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساك[2] و تنارد[3] كشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یك بلور سه بعدی است كه با قرار گرفتن بلورها در كنار یكدیگر ، شبكه كریستالی آنها پدید می‌آید .
اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الكترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الكترون دارد تا مدار خود را كامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراكی برقرار می‌شود.
بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراكی شكسته شده و الكترون آزاد می‌گردد. الكترون فوق و دیگر الكترون هائی كه بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الكترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.
د ر مقابل حركت الكترون ها ، حركت دیگری به نام جریان در حفره ها كه دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الكترون در پیوند بوجود می‌آید.
بر اثر شكسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الكترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حركت الكترون كه بر اثر جذب الكترون ها به سمت حفره ها به سمت الكترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حركت حفره هاست كه بر اثر جذب حفره ها به سمت الكترون ها بوجود می‌آید. در یك كریستال نیمه هادی، تعداد الكترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حركت الكترون ها و حفره ها عكس یكدیگر می‌باشند.
1. نیمه هادی نوع N وP
از آنجایی كه تعداد الكترونها و حفره های موجود در كریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط كم است و جریان انتقالی كم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌كنند.
هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یك عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیك یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الكترون مدار آخر آرسنیك با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشكیل پیوند اشتراكی داده و الكترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.
بنابرین هر اتم آرسنیك، یك الكترون اضافی تولید می‌كند، بدون اینكه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی كه ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.
در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الكترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل
[1] winkler
[2] Gilosake
[3] Tanard
[4] Dopping
[5] Negative
پروداک فایل
تسهیل در دسترسی به فایل مورد نظر در فروشگاه های فایل دارای نماد اعتماد الکترونیکی
جستجو و دریافت سریع هر نوع فایل شامل: دانشگاهی: مقاله، تحقیق، گزارش کارآموزی، بررسی، نظری، مبانی نظری
آموزشی و تدریسی: پاورپوینت، فایل، پروژه، درس‌نامه، طرح درس روزانه، درس پژوهی، یادگیری، آموزش، معلم، دانش‌آموزان، سناریوی آموزشی، بک‌آپ کودک.
فناوری و دیجیتال: دانلود، بک‌آپ، ppt، اتوکد، قابل ویرایش، حسابداری، سامسونگ دیجیتال، pdf.
روان‌شناسی و علوم تربیتی: پاورپوینت، طرح درس نویسی
هنری و طراحی: معماری، عکاسی، وکتور، طراحی
سایر: تم تولد، بک‌آپ تولد، ابتدایی، خرید دانلود رایگان، اصول، کورل، بک‌آپ آتلیه
