پاورپوینت کامل و با عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی (CNTFET) در 18 اسلاید

پاورپوینت کامل با عنوان بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی در 18 اسلاید

نانولوله های کربنی که از صفحات کربن به ضخامت یک اتم و به شکل استوانه ای توخالی ساخته شده است در سال 1991 توسط سامیو ایجیما (از شرکت NEC ژاپن) کشف شد.

نانو لوله های کربنی ،ساختارهای حلقوی تو خالی و متشکل از اتم های کربن هستندکه می توانند به شکل تک یا چند جداره ارایش یابند و دارای خواص فلزی و شبه رسانایی نیز هستند.نانو لوله های کربنی دارای سطح ویژه ی بسیار بالا،نفوذ پذیری زیاد وپایداری مکانیکی و حرارتی خوبی هستند.اگر چه تخلخل های نانولوله های کربنی به طور قابل توجهی کوچک است.غشا های نانو لوله ای نشان داده اند که به خاطر سطح داخلی صاف نانولوله ها،شدت جریان بیشتر یا یکسانی نسبت به تخلخل های بسیار بزرگتر دارند.این مواد بادوام ودر مقابل گرما مقاومند و نیز تمیز کردن و استفاده ی مجدد از ان ها در فرایند های تصفیه ای مانند اب وفاضلاب ساده است.غشا های نانو لوله ای می توانند تقریباً" تمام الودگی های اب اعم از باکتری ،ویروس،ترکیبات الی و کدورات را حذف نمایند.

ترانزیستور اثر میدان، دسته ای از ترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در ان ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون ازاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می توان ان ها را جزو ترانزیستورهای تک قطبی محسوب کرد که در مقابل ترانزیستورهای دوقطبی (که حامل های اکثریت و اقلیت هم زمان در ان ها نقش دارند) قرار می گیرند.ترانزیستورهای اثر میدان دارای سه پایهٔ سورس، درین و گیت هستند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه ماسفت و جی فت تقسیم می شوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی پیوندی که کنترل جریان امیتر و کلکتور با جریان ورودی به بیس صورت می گیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال ولتاژ به گیت صورت می گیرد.

کاربردها

کاربرد اصلی این ترانزیستورهای در مدارهای مجمتع به ویژه تراشه های دیجیتال است. در بیشتر این تراشه ها هزاران ماسفت استفاده شده است که نه تنها به عنوان عنصر فعال بلکه به عنوان مقاوت و خازن نیز به کار می روند. هرچند مدارهای ساخته شده با ماسفت نسبت به مدارهای ساخته شده با بی جی تی ها پیچیده تر هستند و سرعت کمتری دارند، اما هزینهٔ کمتری نیز دارند و فضای کمتری اشغال می کنند و بنابراین در فناوری های یکپارچه سازی کلان مقیاس (VLSI) کاربرد گسترده ای دارند و در فرایندهای کنترل صنعتی، ابزارهای الکترونیک خودکار، الکترونیک نوری، مدارهای سوییچینگ تلفنی و… نقش مهمی ایفا می کنند. جی فت ها همچنین به علت مقاومت ورودی زیاد و اغتشاش کم در الکترونیک خطی (غیر دیجیتال) اهمیت ویژه ای دارند. از ترانزیستورهای اثر میدان در مدارهای کاربردی ای نظیر تقویت کننده ها، کلیدها، منابع جریان، بار فعال و… استفاده می شود. فت ها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند.

فهرست مطالب:

نانو لوله های کربنی

مزایای نانو لوله های کربنی

روش های ساخت نانو لوله های کربنی

ترانزیستور های اثر میدانی با نانولوله های کربنی با گیت پشتی

ترانزیستور اثر میدانی با نانو لوله کربنی با گیت بالا

ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله های کربنی گیت دور نانولوله

مراحل ساخت ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله های کربنی گیت دور نانولوله

مشکلات ترانزیستورهای اثرمیدانی با نانو لوله های کربنی

تغییر پذیری در قطر نانولوله های کربنی

نامرتبی در نانولوله ها

وجود اتصالات SB بین سورس و درین و نانولوله ها

رشد ناخواسته فلز در نانولوله ها

مقایسه پارامترهای کلیدی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی با MOSFET bulk و UTSOI MOSFET

بررسی تیوری جریان درین در ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی گیت

استفاده از CNTFET برای ساخت حسگر گاز

ساخت گیت NOT با CNTFET

نتیجه گیری

منابع