عمومی,گوناگون
پاورپوینت الکترونیک دیجیتال اجزای مدارات دیجیتال ترانزیستور
نحوه عملکرد این ترانزیستور بصورت یک المان با سه ترمینال Source, Drain , Gate مورد استفاده قرارمیگیرد. اگر ولتاژی به گیت وصل نشده باشد بین سورس و درین دو دیود وجود خواهند داشت: یکی بین n سورس و p پایه و دیگری بین p پایه و n درین. چون این دو دیود پ
77
تعداد صفحات
PPT
فرمت
1,551
کیلوبایت
حجم فایل
50,000 تومان
قیمت فایل
فایل با عنوان پاورپوینت الکترونیک دیجیتال اجزای مدارات دیجیتال ترانزیستور با تعداد 77 صفحه در دسته بندی عمومی,گوناگون با حجم 1,551
کیلوبایت و قیمت 50000 تومان و فرمت فایل PPT با توضیحات مختصر نحوه عملکرد این ترانزیستور بصورت یک المان با سه ترمینال Source, Drain , Gate مورد استفاده قرارمیگیرد. اگر ولتاژی به گیت وصل نشده باشد بین سورس و درین دو دیود وجود خواهند داشت: یکی بین n سورس و p پایه و دیگری بین p پایه و n درین. چون این دو دیود پ ...و عنوان انگلیسی Digital electronics PowerPoint components of transistor digital circuits را می توانید هم اکنون دانلود و استفاده نمایید
توضیحات فایل:
دانلود پاورپوینت با موضوع الکترونیک دیجیتال اجزای مدارات دیجیتال ترانزیستور ،
با فرمت ppt و در 77 اسلاید قابل ویرایش
قسمتی از این پاورپوینت :نحوه عملکرداین ترانزیستور بصورت یک المان با سه ترمینال Source, Drain , Gate مورد استفاده قرارمیگیرد.اگر ولتاژی به گیت وصل نشده باشد بین سورس و درین دو دیود وجود خواهند داشت: یکی بین n سورس و p پایه و دیگری بین p پایه و n درین. چون این دو دیود پشت به پشت به هم وصل شده اند هیچ جریانی بین سورس و درین نمیتواند برقرارشود.مقاومت بین سورس و درین خیلی زیاد خواهد بود.در واقع یک ناحیه تخلیه بین دو قطعه p,n مجاور تشکیل میشود که از عبور جریان بین پایه و درین و همچنین پایه و سورس جلوگیری میکند. ایجاد کانالی برای عبور جریاناگر درین و سورس را به زمین وصل کرده و ولتاژ مثبتی به گیت وصل کنیم، ناقلهای مثبت زیر ناحیه گیت تحت تاثیر این ولتاژ از زیر گیت دور شده و به سمت substrate رانده میشوند.این ولتاژ متقابلا الکترونهای منفی را از ناحیه های سورس و درین جذب مینماید. اگر در ناحیه زیر گیت الکترون کافی جمع شود یک ناحیه منفی بوجود می آید که دو ناحیه n مربوط به سورس و درین را به هم وصل میکند. در واقع کانالی برای عبور جریان الکترون از سورس به درین تشکیل میشود.توجه شود که substrate که قبلا از نوع p بود در ناحیه زیر گیت به نوع n تبدیل میشود (inversion layer) ترانزیستور NMOSترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود.مقدار VGS لازم برای تشکیل کانال باید از یک مقدار آستانه Vt بیشتر باشد. این مقدار معمولا بین 0.5 , 1 ولت است.درناحیه گیت در اثر جمع شدن بار منفی در زیر گیت و اتصال آن به ولتاژ مثبت در بالای گیت، خازنی بوجود میآید.مقدار جریانی که از کانال میگذرد بستگی به میدان الکتریکی تشکیل شده در ناحیه گیت دارد.
پروداک فایل
تسهیل در دسترسی به فایل مورد نظر در فروشگاه های فایل دارای نماد اعتماد الکترونیکی
جستجو و دریافت سریع هر نوع فایل شامل: دانشگاهی: مقاله، تحقیق، گزارش کارآموزی، بررسی، نظری، مبانی نظری
آموزشی و تدریسی: پاورپوینت، فایل، پروژه، درس‌نامه، طرح درس روزانه، درس پژوهی، یادگیری، آموزش، معلم، دانش‌آموزان، سناریوی آموزشی، بک‌آپ کودک.
فناوری و دیجیتال: دانلود، بک‌آپ، ppt، اتوکد، قابل ویرایش، حسابداری، سامسونگ دیجیتال، pdf.
روان‌شناسی و علوم تربیتی: پاورپوینت، طرح درس نویسی
هنری و طراحی: معماری، عکاسی، وکتور، طراحی
سایر: تم تولد، بک‌آپ تولد، ابتدایی، خرید دانلود رایگان، اصول، کورل، بک‌آپ آتلیه
