عمومی,سایر
تحقیق حافظه Flash
دانلود تحقیق با موضوع حافظه Flash،در قالب word و در 5 صفحه، قابل ویرایش.بخشی از متن تحقیق:مباني حافظه فلش حافظه فلاش يك نوع خاص از تراشه هاي EEPROM است . حافظه فوق شامل شبكه اي مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و يا ست...
5
تعداد صفحات
Word
فرمت
133
کیلوبایت
حجم فایل
20,000 تومان
قیمت فایل
فایل با عنوان تحقیق حافظه Flash با تعداد 5 صفحه در دسته بندی عمومی,سایر با حجم 133
کیلوبایت و قیمت 20000 تومان و فرمت فایل Word با توضیحات مختصر دانلود تحقیق با موضوع حافظه Flash،در قالب word و در 5 صفحه، قابل ویرایش.بخشی از متن تحقیق:مباني حافظه فلش حافظه فلاش يك نوع خاص از تراشه هاي EEPROM است . حافظه فوق شامل شبكه اي مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و يا ست... ...و عنوان انگلیسی Flash memory research را می توانید هم اکنون دانلود و استفاده نمایید
توضیحات فایل:
دانلود تحقیق با موضوع حافظه Flash،در قالب word و در 5 صفحه، قابل ویرایش.
بخشی از متن تحقیق: مباني حافظه فلش حافظه فلاش يك نوع خاص از تراشه هاي EEPROM است . حافظه فوق شامل شبكه اي مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و يا ستون از دو ترانزيستور استفاده مي گردد. دو ترانزيستور فوق توسط يك لايه نازك اكسيد از يكديگر جدا شده اند. يكي از ترانزيستورها Floating gate و ديگري Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا" به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانيكه لينك فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار يك ذخيره خواهد بود. بمنظور تغيير مقدار يك به صفر از فرآيندي با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده مي گردد. از Tunneling بمنظور تغيير محل الكترون ها در Floating gate استفاد مي شود. يك شارژ الكتريكي حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده مي شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسيد .در نهايت شارژ فوق تخليه مي گردد( زمين ) .شارژ فوق باعث مي گردد كه ترانزيستور floating gate مشابه يك "پخش كننده الكترون " رفتار نمايد . الكترون هاي مازاد فشرده شده و در سمت ديگر لايه اكسيد به دام افتاد و يك شارژ منفي را باعث مي گردند. الكترون هاي شارژ شده منفي ، بعنوان يك صفحه عايق بين control gate و floating gate رفتار مي نمايند.دستگاه خاصي با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونيتور خواهد كرد. در صورتيكه جريان گيت بيشتر از 50 درصد شارژ باشد ، در اينصورت مقدار يك را دارا خواهد بود.زمانيكه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغيير پيدا خواهد كرد.يك تراشه EEPROM داراي گيت هائي است كه تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار يك را دارا است.
پروداک فایل
تسهیل در دسترسی به فایل مورد نظر در فروشگاه های فایل دارای نماد اعتماد الکترونیکی
جستجو و دریافت سریع هر نوع فایل شامل: دانشگاهی: مقاله، تحقیق، گزارش کارآموزی، بررسی، نظری، مبانی نظری
آموزشی و تدریسی: پاورپوینت، فایل، پروژه، درس‌نامه، طرح درس روزانه، درس پژوهی، یادگیری، آموزش، معلم، دانش‌آموزان، سناریوی آموزشی، بک‌آپ کودک.
فناوری و دیجیتال: دانلود، بک‌آپ، ppt، اتوکد، قابل ویرایش، حسابداری، سامسونگ دیجیتال، pdf.
روان‌شناسی و علوم تربیتی: پاورپوینت، طرح درس نویسی
هنری و طراحی: معماری، عکاسی، وکتور، طراحی
سایر: تم تولد، بک‌آپ تولد، ابتدایی، خرید دانلود رایگان، اصول، کورل، بک‌آپ آتلیه
