مهندسی,مهندسی کامپیوتر

تحقیق حافظه هاي فلش

دانلود تحقیق با موضوع حافظه هاي فلش،در قالب word و در 24 صفحه، قابل ویرایش.بخشی از متن تحقیق:حافظه (DOM( DiskOnModole ماجول حافظه بر روي IDE در مدل هاي 40 و 44 پين با قاب و يا بدون قاب در ظرفيت هاي مختلف تا 512 مگابايت.حافظه Embed...
24 تعداد صفحات
Word فرمت
232 کیلوبایت حجم فایل
25,000 تومان قیمت فایل
فایل با عنوان تحقیق حافظه هاي فلش با تعداد 24 صفحه در دسته بندی مهندسی,مهندسی کامپیوتر با حجم 232 کیلوبایت و قیمت 25000 تومان و فرمت فایل Word با توضیحات مختصر دانلود تحقیق با موضوع حافظه هاي فلش،در قالب word و در 24 صفحه، قابل ویرایش.بخشی از متن تحقیق:حافظه (DOM( DiskOnModole ماجول حافظه بر روي IDE در مدل هاي 40 و 44 پين با قاب و يا بدون قاب در ظرفيت هاي مختلف تا 512 مگابايت.حافظه Embed... ...و عنوان انگلیسی Flash memory research را می توانید هم اکنون دانلود و استفاده نمایید
تحقیق حافظه هاي فلش

توضیحات فایل:

دانلود تحقیق با موضوع حافظه هاي فلش،در قالب word و در 24 صفحه، قابل ویرایش.

بخشی از متن تحقیق: حافظه (DOM( DiskOnModole ماجول حافظه بر روي IDE در مدل هاي 40 و 44 پين با قاب و يا بدون قاب در ظرفيت هاي مختلف تا 512 مگابايت.حافظه EmbedDisk ---جديد!!!ماجولهاي حافظه EmbedDisk بر روي IDE و SATA  در ظرفيتهاي مختلف تا 2 گيگا بايت و با سرعت بالاماجول حافظه بر روي چيپ (DOC) محصول M-Systemsحافظه هاي فلش DOC با ظرفيت هاي متفاوت از 8 مگابايت تا 256 مگابايتانواع ROMتوليد تراشه های ROM مستلزم صرف وقت و هزينه بالائی است .بدين منظور اغلب توليد کنندگان ، نوع خاصی از اين نوع حافظه ها را که PROM )Programmable Read-Only Memory) ناميده می شوند ، توليد می کنند.اين نوع از تراشه ها با محتويات خالی با قيمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده از دستگاههای خاصی که Programmer ناميده می شوند ، برنامه ريزی گردند. ساختار اين نوع از تراشه ها مشابه ROM بوده با اين تفاوت که در محل برخورد هر سطر و ستون از يک فيوز( برای اتصال به يکديگر) استفاده می گردد. يک شارژ که از طريق يک ستون ارسال می گردد از طريق فيوز به يک سلول پاس داده شده و بدين ترتيب به يک سطر Grounded که نماينگر مقدار "يک" است ، ارسال خواهد شد. با توجه به اينکه تمام سلول ها دارای يک فيوز می باشند، درحالت اوليه ( خالی )، يک تراشه PROM دارای مقدار اوليه " يک" است . بمنظور تغيير مقدار يک سلول به صفر، از يک Programmer برای ارسال يک جريان خاص به سلول مورد نظر، استفاده می گردد.ولتاژ بالا، باعث قطع اتصال بين سطر و ستون (سوختن فيوز) خواهد کرد. فرآيند فوق را " Burning the PROM " می گويند. حافظه های PROM صرفا" يک بار قابل برنامه ريزی هستند. حافظه های فوق نسبت به RAM شکننده تر بوده و يک جريان حاصل از الکتريسيته ساکن، می تواند باعث سوخته شدن فيوز در تراشه شده و مقدار يک را به صفر تغيير نمايد. از طرف ديگر ( مزايا ) حافظه ای PROM دارای قيمت مناسب بوده و برای نمونه سازی داده برای يک ROM ، قبل از برنامه ريزی نهائی کارآئی مطلوبی دارند.                   حافظه EPROM                                                                                                  استفاده کاربردی از حافظه های ROM و PROM با توجه به نياز به اعمال تغييرات در آنها قابل تامل است ( ضرورت اعمال تغييرات و اصلاحات در اين نوع حافظه ها می تواند به صرف هزينه بالائی منجر گردد)حافظه هایEPROM)Erasable programmable read-only memory) پاسخی مناسب به نياز های مطرح شده است ( نياز به اعمال تغييرات ) تراشه های EPROM را می توان چندين مرتبه باز نويسی کرد. پاک نمودن محتويات يک تراشه EPROM مستلزم استفاده از دستگاه خاصی است که باعث ساطع کردن يک فرکانس خاص ماوراء بنفش باشد.. پيکربندی اين نوع از حافظه ها مستلزم استفاده از يک Programmer از نوع EPROM است که يک ولتاژ را در يک سطح خاص ارائه نمايند ( با توجه به نوع EPROM استفاده شده ) اين نوع حافظه ها ، نيز دارای شبکه ای مشتمل از سطر و ستون می باشند. در يک EPROM سلول موجود در نقطه برخورد سطر و ستون دارای دو ترانزيستور است .ترانزيستورهای فوق توسط يک لايه نازک اکسيد از يکديگر جدا شده اند. يکی از ترانزيستورها Floating Gate و ديگری Control Gate ناميده می شود. Floating gate صرفا" از طريق Control gate به سطر مرتبط است. ماداميکه لينک برقرارباشد سلول دارای مقدار يک خواهد بود. بمنظور تغيير مقدار فوق به صفر به فرآيندی با نام Fowler-Nordheim tunneling نياز خواهد بود .Tunneling بمنظور تغيير محل الکترون های Floating gate استفاده می گردد.يک شارژ الکتريکی بين 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود.شارژ از ستون شروع و پس از ورود به floating gate در ground تخليه خواهد گرديد. شارژ فوق باعث می گردد که ترانزيستور floating gate مشابه يک "پخش کننده الکترون " رفتار نمايد .
مهندسی,مهندسی برق، الکترونیک و مخابرات
پاورپوینت مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش

35,000 تومان

پاورپوینت مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش

تعداد صفحات: 32

فرمت: ppt

حجم فایل: 796 کیلوبایت


مباحث رشته ها,پاورپوینت
پاورپوینت مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش

36,000 تومان

پاورپوینت مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش

تعداد صفحات: 32

فرمت: .ppt

حجم فایل: 1,639 کیلوبایت


کامپیوتر و IT
پاورپوینت مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش

27,000 تومان

پاورپوینت مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش

تعداد صفحات: 0

فرمت:

حجم فایل: 796


کامپیوتر و IT
پاورپوینت مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش

36,000 تومان

پاورپوینت مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش

تعداد صفحات: 32

فرمت: ppt

حجم فایل: 796KB


مقاله
مقاله  حافظه هاي فلش  word

6,000 تومان

مقاله حافظه هاي فلش word

تعداد صفحات: 24

فرمت: .zip

حجم فایل: 109 کیلوبایت


پروداک فایل

تسهیل در دسترسی به فایل مورد نظر در فروشگاه های فایل دارای نماد اعتماد الکترونیکی

جستجو و دریافت سریع هر نوع فایل شامل: دانشگاهی: مقاله، تحقیق، گزارش کارآموزی، بررسی، نظری، مبانی نظری آموزشی و تدریسی: پاورپوینت، فایل، پروژه، درس‌نامه، طرح درس روزانه، درس پژوهی، یادگیری، آموزش، معلم، دانش‌آموزان، سناریوی آموزشی، بک‌آپ کودک. فناوری و دیجیتال: دانلود، بک‌آپ، ppt، اتوکد، قابل ویرایش، حسابداری، سامسونگ دیجیتال، pdf. روان‌شناسی و علوم تربیتی: پاورپوینت، طرح درس نویسی هنری و طراحی: معماری، عکاسی، وکتور، طراحی سایر: تم تولد، بک‌آپ تولد، ابتدایی، خرید دانلود رایگان، اصول، کورل، بک‌آپ آتلیه پروداک فایل