سمینار برق

سمینار افزاره های SOI عایق سیلیکونی

با توجه به کارآیی موثر این افزاره ها و کاربردهای گسترده آن در مدارات VLSI ، این سمینار
95 تعداد صفحات
pdf فرمت
2506 KB حجم فایل
10,000 تومان قیمت فایل
فایل با عنوان سمینار افزاره های SOI عایق سیلیکونی با تعداد 95 صفحه در دسته بندی سمینار برق با حجم 2506 KB و قیمت 10000 تومان و فرمت فایل pdf با توضیحات مختصر با توجه به کارآیی موثر این افزاره ها و کاربردهای گسترده آن در مدارات VLSI ، این سمینار ...و عنوان انگلیسی Silicon insulation SOI devices seminar را می توانید هم اکنون دانلود و استفاده نمایید
سمینار افزاره های SOI عایق سیلیکونی

توضیحات فایل:

فهرست مطالب سمینار دانودی:

چکیده

مقدمه

فصل اول

بررسی افزاره های SOI

مقدمه

انواع افزاره های SOI

اثر بدنه

مقایسه عملکرد PD و FD در برابر اثر بدنه

مقایسه مدهای وارون و انباشتگی

اثرات کانال کوتاه SCE

وابستگی اثر کانال کوتاه به بایاس افزاره

وابستگی اثر کانال کوتاه به ساختار افزاره

وابستگی اثر کانال کوتاه به فرایند ساخت

اثرات کانال باریک

وابستگی به ساختار

قابلیت حرکت

وابستگی به میدان الکتریکی عمودی

وابستگی به میدان الکتریکی افقی

خلاصه

فصل دوم

بررسی اثرات بدنه شناور در ترانزیستور SOI

مقدمه

اثرات کینک در وارونگی شدید

اتصال بدنه

روش های مختلف برای کاهش اثرات کینک

رفتار زیر آستانه

افزاره های FD در مقابل PD

PD

وابستگی به DIBL

رفتار latch/ GIDL

خلاصه

فصل سوم

یونیزاسیون ضربه ای

مقدمه

تحلیل پایه یونیزاسیون ضربه ای

جریان بدنه

روش های مانیتورینگ

شکست

وابستگی به ساختار

خلاصه

فصل چهارم

نتیجه گیری و پیشنهادات

نتیجه گیری

پیشنهادات

منابع و ماخذ

فهرست منابع لاتین

چکیده انگلیسی

-------------

سمینار افزاره های SOI

بخشهایی از متن:

در حالت کلی هزینه ساخت مدارهای SOI از مدارهای سیلیسیمی گرانتر می باشد ، اما کوچک بودن ابعاد ترانزیستورها باعث می شود هزینه ساخت مدارهای SOI کمتر شود ، بطوری که در فناوری 0/3 میکرون ، هزینه ساخت از نوع مشابه bulk نیز کمتر است .

با توجه به کارآیی موثر این افزاره ها و کاربردهای گسترده آن در مدارات VLSI ، این سمینار به بررسی و تحلیل رفتارهای این افزاره در مقابل اثرات بدنه اثرات ،کانال کوتاه و اثرات کانال باریک و ... می پردازد و در این مسیر ، تاثیر پارامترهای مختلف از جمله تغییر ضخامت ناحیه فعال ، تغییر ضخامت لایه اکسید گیت ، تغییرات تراکم ناخالصی ها و... بر روی عملکرد افزاره بررسی می گردد و به طور کلی عوامل مختلفی که در افزایش یا کاهش کارآیی افزاره تاثیر بسزایی دارند ، مورد تحلیل قرار می گیرد .

انواع افزاره های SOI

با توجه به ضخامت ناحیه فعال میسیلیسمی، افزاره های SOI CMOS به افزاره هایی بـا ناحیه فعـال سیلیسیمی ضخیم و نازک تقسیم میگردند. اگر ناحیه فعال سیلیسیمی ضخیم باشد ، فقط قسمت بالایی آن تخلیه می گردد و قسمت پایین خنثی می ماند این نوع از افزاره های SOI CMOS قسمتهای تخلیه شده یا PD نامیده می شوند. اگر ناحیه فعال سیلیسیمی کاملاً تخلیه گردد ، آن را افزاره های کاملا تخلیه شده یا FD می نامند.

...

پروداک فایل

تسهیل در دسترسی به فایل مورد نظر در فروشگاه های فایل دارای نماد اعتماد الکترونیکی

جستجو و دریافت سریع هر نوع فایل شامل: دانشگاهی: مقاله، تحقیق، گزارش کارآموزی، بررسی، نظری، مبانی نظری آموزشی و تدریسی: پاورپوینت، فایل، پروژه، درس‌نامه، طرح درس روزانه، درس پژوهی، یادگیری، آموزش، معلم، دانش‌آموزان، سناریوی آموزشی، بک‌آپ کودک. فناوری و دیجیتال: دانلود، بک‌آپ، ppt، اتوکد، قابل ویرایش، حسابداری، سامسونگ دیجیتال، pdf. روان‌شناسی و علوم تربیتی: پاورپوینت، طرح درس نویسی هنری و طراحی: معماری، عکاسی، وکتور، طراحی سایر: تم تولد، بک‌آپ تولد، ابتدایی، خرید دانلود رایگان، اصول، کورل، بک‌آپ آتلیه پروداک فایل